Samsung 32GB DDR4 2400MHz atmiņas modulis 1 x 32 GB 288-pin DIMM ECC

Uzlabojiet sava datora veiktspēju līdz jauniem līmeņiem.
Jums nepieciešams īstais eksperts pareizajam datora atmiņas risinājumam.
Samsung ir DRAM tirgus līderis, un mūsu DRAM jau daudzus gadus izvēlas lielākā daļa oriģinālo iekārtu ražotāju.
Izmantojiet moderno Samsung DDR4, lai paceltu savu datoru jaunā ātrdarbības un zema enerģijas patēriņa veiktspējas dimensijā.

Uzlabots joslas platums augstas klases lietojumprogrammām.
Datoru lietojumprogrammām kļūstot kritiskākām un sarežģītākām, personālie datori ir saskārušies ar vislielākajām prasībām līdz šim. Mūsdienu datoriem jānodrošina izcila ātrdarbība, lai sasniegtu nepieciešamo veiktspēju.

Samsung 2xnm DDR4 UDIMM un SODIMM nodrošina sākotnējo joslas platumu 2400 Mb/s, kas var sasniegt līdz pat JEDEC definētajiem 3200 Mb/s. DDR4 ir 2 reizes lielāks joslas platums nekā DDR3.

Pilnīga daudzuzdevumu veikšana ar mazāku enerģijas patēriņu.
Patērētāji vēlas paļauties uz izcilu akumulatora darbības laiku, lai pabeigtu savus uzdevumus. Samsung datora DRAM nodrošina ilgāku darbības laiku bez strāvas pieslēguma, pateicoties zemākam enerģijas patēriņam. Tas pagarina piezīmjdatoru akumulatora darbības laiku, vienlaikus saglabājot augstu veiktspēju.

Samsung DDR4 SODIMM un UDIMM patērē mazāk enerģijas ar savu unikālo 2xnm tehnoloģiju. Samsung 2xnm DDR4, kas darbojas pie 1,2 V sprieguma, sasniedz aptuveni par 26% augstāku veiktspējas/vatu attiecību salīdzinājumā ar 2xnm DDR3, kas darbojas pie 1,5 V sprieguma.

Samsung piedāvā arī 2xnm LPDDR4, kas darbojas pie 1,1 V sprieguma, panākot par 37% lielāku energoefektivitāti nekā 2xnm LPDDR3, kas darbojas pie 1,2 V sprieguma.

Divkāršojiet ietilpību ar pasaulē pirmajām 8Gb mikroshēmām.
Blīvuma palielinājums ir ļāvis Samsung piedāvāt lielākas ietilpības DRAM, nodrošinot ātrāku datu pārraides ātrumu, kādu mūsdienu ierīces pieprasa. Datori var izmantot augsta blīvuma DRAM priekšrocības, izmantojot mazāk DRAM komponentu, kas ļauj ietaupīt vietu.

Samsung DDR4 UDIMM var sasniegt maksimālo ietilpību 128GB, izmantojot pasaulē pirmās 8Gb mikroshēmas, kas ir 2 reizes vairāk nekā DDR3 64GB, kas izgatavots no 4Gb mikroshēmām.