ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P P-Channel Power MOSFET -60V 18A DPAK

ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P ir augstas veiktspējas P-kanāla jaudas MOSFET, kas paredzēts efektīvai jaudas pārvaldībai un komutācijas lietojumiem. Ražots uzņēmumā Infineon Technologies, šis komponents nodrošina drenāžas-avota spriegumu -60 V un nepārtrauktu drenāžas strāvu -18 A, padarot to piemērotu plašam elektronisko shēmu klāstam. Iekļauts DPAK (TO-252) virsmas montāžas korpusā, tas nodrošina uzticamu veiktspēju kompaktos dizainos.

Priekšrocības

Šis MOSFET nodrošina zemu ieslēgšanas pretestību (65 mΩ pie Vgs=-10V) samazinātiem jaudas zudumiem, augstu komutācijas ātrumu un robustu termisko veiktspēju ar jaudas izkliedi 60 W. Tā SIPMOS® tehnoloģija garantē izcilu efektivitāti un izturību prasīgos apstākļos.

Piemērots

• Barošanas avotu shēmām
• Līdzstrāvas pārveidotājiem
• Motoru vadībai
• Akumulatoru pārvaldības sistēmām
• Slogu komutācijai

Galvenās specifikācijas

• Komponenta tips: P-kanāla jaudas MOSFET
• Drenāžas-avota spriegums (Vds): -60 V
• Nepārtraukta drenāžas strāva (Id): -18 A (pie Tc=25°C)
• Ieslēgšanas pretestība (Rds(on)): 65 mΩ (pie Vgs=-10V, Id=-14A)
• Vārtu-avota spriegums (Vgs): ±20 V
• Jaudas izkliede (Pd): 60 W (pie Tc=25°C)
• Korpusa tips: DPAK (TO-252)
• Montāžas tips: Virsmas montāža
• Darba temperatūras diapazons: -55 līdz 175 °C
• Kopējais vārtu lādiņš (Qg): 25 nC (tipisks)
• Vārtu sliekšņa spriegums (Vgs(th)): -2,1 V (min)
• Ieejas kapacitāte (Ciss): 1000 pF (tipiska)
• Izejas kapacitāte (Coss): 200 pF (tipiska)
• Apgrieztās pārneses kapacitāte (Crss): 100 pF (tipiska)
• Kontaktu skaits: 3
• Tranzistora polaritāte: P-kanāls
• Tehnoloģija: SIPMOS®

Ieteikumi

Lai nodrošinātu optimālu veiktspēju, nodrošiniet atbilstošu siltuma izkliedi un ievērojiet ražotāja norādījumus par vārtu vadību un iespiedshēmas plates izkārtojumu. Šis komponents ir ideāli piemērots inženieriem un hobijiem, kas meklē uzticamu P-kanāla MOSFET vidējas jaudas lietojumiem.