Samsung DDR3 - Modul - 8 GB - DIMM 240-PIN

Samsung Computing DRAM

Pareizais atmiņas risinājums var būt viena no jūsu svarīgākajām konkurences priekšrocībām. Samsung ir nozares līderis ar visprogresīvāko DRAM tehnoloģiju, tostarp DDR2, DDR3 un drīzumā arī DDR4, lai veicinātu jūsu dizainu panākumus. Izmantojiet Samsung ātrāko un augstākās veiktspējas DDR3 atmiņu jau šodien ar divkanālu, 128 bitu atmiņas moduli, lai nodrošinātu caurlaidspēju, kas pārsniedz 25,6 GB/s.

Atbilstiet pieaugošajām energoefektivitātes prasībām

Mūsu jaunākās paaudzes Computing DRAM nodrošina izcilu ātruma un efektivitātes kombināciju. Iebūvētas enerģijas pārvaldības funkcijas palīdz samazināt enerģijas patēriņu atmiņas dīkstāves ciklu laikā.

Energoefektivitāte var nozīmēt lielus izmaksu ietaupījumus serveru un galddatoru vidēm, ilgu baterijas darbības laiku klēpjdatoru lietotājiem un mazu oglekļa pēdu. Samsung Computing DRAM risinājumi veicina konkurētspēju ar funkcijām, kas ļauj jums:

- Izmantot mūsu īpaši zemas jaudas atmiņas tehnoloģiju ar 30 nm klases, 1,35 V, 2 Gb DDR3.
- Panākt atmiņas enerģijas ietaupījumu līdz pat 67 procentiem, izmantojot Samsung jaunākos 20 nm klases DDR3 risinājumus, salīdzinot ar esošajiem 50 nm klases DDR3.
- Darboties ar spriegumu, kas ir tikai 1,2 V, vienlaikus nodrošinot gandrīz divas reizes lielāku joslas platumu nekā DDR3 ar gaidāmo DDR4 atmiņu.

Iedzīviniet progresīvus produktu risinājumus

DRAM atmiņas iespējas ir plašas un aptver gandrīz ikvienu ierīci, kas spēj būt savstarpēji savienota un tīklota. Samsung Computing DRAM sniedz plašu dizaina priekšrocību klāstu, tostarp:

- Pulksteņa frekvences, kas pārsniedz 1 GHz, ļaujot datu pārraides ātrumam sasniegt pat 1866 Mb/s, lai atbalstītu mūsdienu augstas klases un ātrdarbīgus procesorus.
- Ļoti zems darba spriegums, kas palīdz ievērojami samazināt enerģijas patēriņu un pagarināt ar baterijām darbināmu ierīču lietošanas ilgumu.
- Arvien blīvāka izgatavošana (piemēram, jaunākā 20 nm DDR3), samazinot mikroshēmu skaitu, kas nonāk galaproduktā, un atbrīvojot plates vietu, ko iepriekšējo paaudžu mikroshēmas citādi aizņemtu.
- Iebūvēti mehānismi, piemēram, DQ ekranēšana, paškalibrēšana un fly-by topoloģija, lai uzlabotu signāla kontroli.

Samsung pieredze pusvadītāju atmiņu jomā un nākamās paaudzes atmiņas tehnoloģiju izstrādē veicina tādu ierīču un lietojumu dizainu kā īpaši plāni klēpjdatori ar pagarinātu baterijas darbības laiku.
Mākoņdatošanai optimizēti serveri arī gūst lielu labumu no Samsung Computing DRAM.

Samsung 8GB DDR3 SDRAM. Komponente priekš: PC/Serveris, Iekšējā atmiņa: 8 GB, Atmiņas izkārtojums (moduļi x izmērs): 1 x 8 GB, Iekšējās atmiņas tips: DDR3, Atmiņas takts frekvence: 1600 MHz, Atmiņas formas faktors: 240-pin DIMM, CAS latentums: 11, ECC